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最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
https://www.tsri.org.tw
辛耘知識分享家
https://www.scientech.com.tw
RCA Clean是一套基礎且通用的晶圓清洗步驟，Werner Kern 在1965 年為美國無線電公司(RCA) 工作時開發的清洗步驟，主要是在半導體製造中的矽晶圓薄膜處理（ ...
RCA Clean製程
https://www.gptc.com.tw
半導體晶圓製程中有五大污染物：微粒、金屬不純物、有機污染物、自然生成氧化層及晶圓表面的微粗糙等，常用化學品有SC-1(APM)、SC-2(HPM)、SPM、HF及BHF等，SC-1及SC-2 ...
臭氧水在半導體清洗製程上的應用
https://ndltd.ncl.edu.tw
根據我們的研究結果，發現臭氧水清洗製程比傳統的RCA清洗製程，在未來元件更加微縮至奈米尺寸後，對於表面粗糙度和污染物有較嚴格的要求時，臭氧水清洗製程可用於取代傳統 ...
濕式化學品在半導體製程中之應用
https://www.materialsnet.com.t
(SPM, Piranha Clean,. Caro Clean):. 主要是在清除晶圓表面的有機物。 利用硫酸及雙氧水生成的卡羅酸，其強. 氧化性及脫水性可破壞有機物的碳氫鍵. 結，而達到去除有機 ...
300mm 單晶圓濕洗系統之介紹與應用
http://ecaaser5.ecaa.ntu.edu.t
使用AM-1溶. 液可在同一清洗步驟中有效的清除微粒與金. 屬雜質,無需SC-2清洗,它可以取代RCA. 製程,並提高清洗的速度,在300mm 單晶圓. Oasis Clean 系統的反應室裏,僅需2 ...
工學院半導體材料與製程設備學程
https://ir.lib.nycu.edu.tw
RCA（Radio Corporation of America）標準清洗法(RCA Standard. Clean)在1963 年發展並使用，至今仍然是最普偏的濕式清洗方法。RCA. 法主要是為前段製程設計之清洗步驟，在 ...
TWI409862B
https://patents.google.com
SC1和SC2之特定程序最通常的是指「RCA潔淨程序」。介於HF、SC1與SC2溶液之間 ... Wafer cleaning compositions and methods. US8304349B2 * 2008-08-18 2012-11-06 ...
抓出半導體製程中的魔鬼－晶圓表面汙染
https://www.matek.com
因此，如何確保晶圓表面無污染殘留一直是項重要的課題，在 1970 年代導入了以雙氧水為主的 RCA 混合物清洗液之後，已有多種不同的洗液配方被使用，像是 ...